目 录
第一章 执行概要
第二章 市场分析
2.1 LED照明行业介绍
2.2行业竞争格局分析
2.2.1 LED产业区域与投资规模
2.2.2 全球LED行业格局分析
2.2.3 全球五大厂商的技术垄断与专利联盟
2.2.4 全球LED关键设备制造商分析
第三章 LED行业需求分析
3.1 传统应用领域LED 需求分析
3.2 大尺寸LCD未来市场预测
3.3 2007年-2012年LED市场规模预测
第四章 LED行业供给分析
4.1 台湾大幅扩产的产能分析
4.2 大陆扩产产能2009 年开始释放
4.3 未来几年全球LED产能预测
4.4 技术进步对供给提升的促进作用
第五章 公司发展计划
5.1 公司战略目标
5.2 市场及客户
5.3 品牌宣传计划
第六章 市场营销策略
6.1 市场营销战略
6.2 市场执行计划
6.3 市场效果预估
第七章 融资方案
7.1 融资计划
7.2 股权结构
7.3 投资者进入与退出
第八章 财务预测
8.1 财务假设条件
8.2 擦无预估
第九章 风险评估
9.1 人力资源风险
9.2 管理风险
9.3 市场风险
9.4 资金链风险
第一章 执行概要
半导体照明优势突出。照明行业已经历了三代产品，分别是第一代电光源：白炽灯（卤钨灯）、第二代电光源：荧光灯（日光灯、节能灯）和第三代电光源：高强度气体放电灯（HID），目前正向第四代电光源----半导体照明发展。半导体照明的实现方式是半导体发光二极管（LightEmitting Diode，缩写成LED），其发光原理是用P型半导体和N型半导体组成晶片，它们之间形成的过渡层叫P—N结，当P—N 结加正向电压有电流输入时，电子和空穴复合而发光。PN 结材料的性质决定发出光的波长，即决定光的颜色。中红光LED材料以GaP（二元系）、AlGaAs（三元系）和AlGaInP（四元系）为主；蓝/白光LED材料以GaN为主。LED 晶片的体积很小，通常只有几十到几百微米，选择适当的匹配材料和制造工艺，可使电能大部分转变成光能，理论上发光效率可达400 lm/w，目前LED 实验室最大发光效率为157 lm/w。LED 是一种新型固态冷光源，它具有高效、节能、环保、使用寿命长、易维护体积小、响应快、可靠性高等特点。在同样亮度下，耗电仅为普通白炽灯的1/10，荧光灯的1/3，而寿命却可以延长100 倍，半导体照明是21 世纪最具有发展的高技术领域之一，未来半导体照明将逐步替代白炽灯和荧光灯。通过对比前三代照明产品的特点和优劣势可以看出半导体照明强大的生命力。
第二章 市场分析
2.1 LED照明行业介绍
LED 早已从最早的指示灯发展到照明领域，照明通常划分为通用照明和特殊照明两大领域。随着LED 发光效率和光强的不断提升，LED 已经向特殊照明的纵深发展，并逐步进入通用照明领域。
LED 的应用范围主要由LED 芯片发光强度（mcd）和发光效率（lm/w）决定。发光强度越大、发光效率越高，则运用越发广泛。LED 芯片按发光强度分为普通亮度LED、高亮度LED 和超高亮度LED，发光强度<10mcd 为普通亮度，10mcd～100mcd 间的为高亮度，达到或超过100mcd 的称超高亮度。普通亮度主要用于指示灯；高亮度用于特殊照明；而超高亮度则可以进一步用于通用照明。
从发光效率看，LED 有着前三代照明产品无法比拟的优势，LED 理论上的发光效率可以达到400lm/w，目前量产的水平70-90lm/w，实验室的水平是157 lm/w 左右。而前三代产品的发光效率分别是从8-80lm/w 不等。发光效率越高意味着达到同样照明效果的功率降低，节能特性越突出。目前LED 已从早期的指示灯发展到交通信号灯、汽车车灯、背景光源、景观照明、特种工作照明、军事及其它应用领域，普通照明正在启动。
2.2 LED照明行业竞争格局分析
日本于1998 年率先实施"21 世纪照明"计划， 2006 年完成用白光LED 照明替代50% 传统照明。并计划2010 年实现LED 发光效率达到120 lm/w。2008 年4 月日本政府呼吁力争在2012 年，全面实现由白炽灯向荧光灯及LED 照明的转换。
美国总统奥巴马上台后积极推行环保高效的能源政策, 最新消息显示Cree已与美国国防部达成合作，在五角大楼使用LED 照明灯具。另外美国能源部制定了"半导体照明国家研究项目"计划书，计划用10 年时间，投资5 亿美元用于半导体照明，使美国在未来照明光源市场竞争中，领先于日本、欧洲及韩国等竞争者。并计划在2010 年实现用LED 取代55% 的白炽灯和荧光灯；2012 年LED 发光效率达到150 lm/w； 2025 年LED 照明光源的使用将使照明用电减少一半，每年节电350 亿美元。
2008年欧盟首脑会议达成协议，决定欧盟各国将逐步用节能灯取代白炽灯；欧盟各国也拟通过立法从2009 年开始禁止生产白炽灯泡。欧盟成员国能源部长要求欧盟委员会在2008 年底前制订计划，从2010 年起禁止在欧盟销售包括白炽灯在内的高耗能家用照明设备。
阿根廷2008 年签署法案，决定从2011 年起彻底禁止普通灯泡的使用。新西兰能源部2007 年表示，将从2009 年开始，禁止使用白炽灯泡。
此外韩国、中国也启动了国家半导体照明工程。
2015年LED 满足3 0%的照明需求，节约4 百万吨油当量。
日本 2008 年宣布，3 年内 逐渐停止在国内生产和销售白炽灯。政府投入12 亿日元，发展材料特性开发结构与 LED 灯具标准制定，日本大阪政府引入LED 路灯，制订LED 照明机器开发推进计划。
中国 未来10 年内禁用白炽灯 " 十一五" 科技发展规划将半导体照明产品列为第一重点发展领域，科技部已经将"半导体照明产业化技术开发"项目列入国家科技攻关重大项目计划。2006年初，国务院发布了《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006—2020）》，"高效节能、长寿命的半导体照明产品"被列入中长期规划第一重点领域（能源）的第一优先主题（工业节能），在国内外引起广泛关注；财政部、国家发改委2008年联合发布《高效照明产品推广财政补贴资金管理暂行办法》，国家采取间接补贴方式进行推广高效照明产品，科技部"十城万盏"LED路灯示范计划也已经提出并开始实施
中国台湾地区 2009 年起淘汰替换白炽灯，2010 年陆续停产 将全台湾135 万盏路灯列为推动节能的重点，并在08年12月正式推出LED路灯照明标准。
澳洲 2007 年宣布，3年内取代白炽灯泡。
第三章 LED行业需求分析
根据LED 的生产流程，可以把行业分为上游外延片生产，中游芯片制造，下游芯片封装三个部分，其中上游和中游技术含量较高，资本投入密度大，为国际竞争比较激烈的领域；其次是中游芯片；下游封装行业低端进入容易，但事实上，目前封装对于高亮度芯片的散热、发光提出了更高的要求，技术含量也越来越高。
上游是单晶片及外延片生产。单晶片是制造LED 的基底，也称作衬底，多采用蓝宝石、碳化硅、GaAs、GaP 为材料。外延片是在单晶上生长多层不同厚度的单晶薄膜，如 AlGaAs、AlGaInP、GaInN等，用以实现不同颜色的LED 。常见的外延方法有液相外延法（LPE）、气相外延法（VPE）以及金属有机化学汽相沉积（MOCVD）法等，其中 VPE和 LPE技术已相当成熟，可用来生长一般亮度LED 。而生长高亮度LED 必须采用MOCVD 方法。目前全球MOVCD 的主要制造厂家为德国的AIXTRON 公司和美国VEECO 公司，前者约占70% 的国际市场份额，后者占据 30%。日本厂家生产的设备基本限于日本国内销售。 上游外延片成本及技术门槛高，良率的提升主要依赖技术人员对参数调整的经脸，并无太多标准可循，这对新进厂商形成较高的技术壁垒。
中游主要是芯片设计和加工。根据 LED的性能需求进行器件结构和工艺设计，通过外延片扩散、金属镀膜，然后进行光刻、热处理、形成金属电极，并将基板磨薄抛光后进行切割。
下游包括LED 芯片的封装测试和应用。LED 封装是指将外引线连接到LED 芯片的电极上，形成LED 器件，封装起着保护LED 芯片和提高光效的作用。目前的封装类型主要有 Lamp 型、ThroughHole型、SMD型、DirectBonding型等。
在LED 产业链中，LED 外延片与芯片约占行业利润的70%，封装约占20%，应用约占10%。